AMB陶瓷基板对SiC芯片的配套优势明显[ 09-24 17:52 ]

据了解，AMB基板铜层结合力在16N/mm~29N/mm之间，要大幅高于DBC工艺的15N/mm，更适合精密度高的陶瓷基板电路板，这一特性也使得AMB基板具备高温高频特性，导热率为DBC氧化铝的3倍以上，且使用过程中能降低SiC约10%的热阻，能提升电池效率，对SiC上车并改善新能源汽车应用有明显的提升效果。 不过，AMB工艺也还存在一些短板，其技术实现难度要比DBC、DPC两种工艺大很多，对技术要求高，且在良率、材料等方面还有待进一步完善，这使得该技术目前的实现成本还比较高，“AMB被认为是Si

SiC规模化上车已进入倒计时[ 09-23 16:50 ]

随着汽车电动化快速进入到2.0快充阶段，对高压充电平台以及功率器件提出了更高要求，而SiC凭借耐高压、耐高温、高效率、高频率、抗辐射等优势，在电控场景中能量损耗比Si基芯片减少一半，被认为将取代IGBT，成为未来高压充电平台的核心器件，也是电动汽车性能和应用体验度提升的关键器件，受到了市场的热捧。SiC的产能正在逐步释放，随着产量不断扩大，成本会越来越低，从而获得更广泛的普及。 SiC规模化上车已开始进入倒计时，据了解，目前已有特斯拉Model3、比亚迪汉、蔚来ES7/ET7/ET5、小鹏G9、吉利Smart

碳化硅衬底领域国产替代成效显著[ 09-17 15:03 ]

碳化硅作为第三代半导体材料的主要代表之一，其技术发展也至关重要。虽然国内碳化硅的技术水平与国外有所差距，但国内企业在2-6英寸的半绝缘型和导电型碳化硅衬底领域均已实现部分国产替代，8英寸晶圆也在研制过程中，国产替代进程讲持续突破。 碳化硅市场产业链主要分为晶圆衬底制造、外延片生产、碳化硅器件研发和装备封装测试四个部分，分别占市场总成本的50%、25%、20%、5%，由于具备晶体生长过程繁琐，晶圆切割困难等特点，碳化硅衬底的制造成本一直处于高位。目前高质量衬底的应用主要集中于WolfSpeed、II-VI、RO

Wolfspeed宣布斥巨资扩产碳化硅晶圆产能[ 09-15 16:27 ]

9月9日，碳化硅半导体技术全球领导者Wolfspeed宣布将在北卡罗来纳州投建200mm（8吋）碳化硅晶圆项目，一期投资13亿美元，预计2024年投产；二期预计投资48亿美元，到2030年投产，投资目标是使Wolfspeed达到目前产能的十倍。 Wolfspeed首席执行官GreggLowe表示，碳化硅芯片能够在500华氏度以上运行，电压大约是传统硅片可以处理的10倍，基于碳化硅的芯片已在电动汽车中找到一席之地，它们用于逆变器——该组件的作用是将电力从汽车电池传输到使车轮转动的电机。L

碳化硅器件工艺难点在哪里？[ 09-14 17:19 ]

衬底片完了之后就是长外延，外延之后就是一系列的光刻，刻蚀，涂胶，沉积，清洗，离子注入等工艺，和硅工艺基本一致，然后就是后道的晶圆切die，封装测试等，基本流程和硅差不多。 其中长外延，光刻胶，背面退火，刻蚀，以及氧化栅极工艺区别，欧姆接触和硅工艺区别非常大。 硅的外延工艺就是普通的硅外延炉之类价格也很便宜国产的大约400-500万一台（8英寸的）；碳化硅的是特殊的MOCVD/HT-CVD，且价格非常贵，基本要800-1500万人民币一台，而且产能很低，一台炉子一个月产能是30片。 外延炉主要是国外

为什么碳化硅晶圆成本高？[ 09-13 16:14 ]

碳化硅的长晶技术大致有三种，PVT物理气相传输法，HT-CVD高温气相沉积法，以及LPE溶液法。 其中PVT比较主流，优点是简单，可靠，成本可控。CVD对设备要求太高，价格很贵，只有高质量的半绝缘衬底会用这个方法；LPE溶液法能做天然P型衬底，但是缺陷很难控制，还需要时间积累，日本公司不少专注于这个路线。 以PVT法为例，这种方案下碳化硅生长速度只有硅材料生长速度的1/100都不到，144小时只有2cm左右的厚度，实在是太慢了，要想获得更多的产量，只能靠长晶炉数量堆。 目前国外日新技研和PVATe

碳化硅现在面临的缺点和掣肘是什么？[ 09-12 15:09 ]

碳化硅优点很多，但是目前也仅仅是一个小汽车应用场景上使用，还是无法大规模替代硅功率器件，业内从技术和产业角度来理解有以下这些问题。 首先碳化硅这种材料，在自然界是没有的，必须人工合成，结果必然是成本远远高于可以自然开采的材料，而且碳化硅升华熔点约2700度，且没有液态，只有固态和气态，因此注定不能用类似拉单晶的切克劳斯基法（CZ法）制备，因此第一步晶体生长技术卡住了第一步也是最关键的一步，导致原材料价格过于昂贵。 因此碳化硅6英寸衬底高达1000美金，而6英寸硅片为23美金（150元），两者实在差太多了

碳化硅为什么会进入高速发展阶段？[ 09-11 16:07 ]

人类历史上第一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各种碳化硅的长晶技术，产业研究前后长达70多年。 2001年的时候英飞凌就做出了第一只碳化硅二极管，然后Cree，罗姆，ST等公司也相继进入碳化硅领域，做出了碳化硅二极管，三极管，MOSFET管等，有少量科研机构用研发过碳化硅IGBT结构，但是IGBT结构的一时半刻找不到应用场景。 以前大家都知道碳化硅很好，但是问

宽禁带半导体材料的优点[ 09-09 17:05 ]

碳化硅，氮化镓有个很拉风的名字叫宽禁带半导体材料，国内也叫第三代半导体。它特指禁带宽度超过2.2eV的材料主要是碳化硅（3.2eV）和氮化镓（3.34eV）；超过4.0eV叫超宽禁带半导体材料，国内叫第四代半导体材料，包括氮化铝（AlN），金刚石（C），氧化镓（Ga2O3）和氧化锌（ZnO），就是上上周美国搞制裁的那个，有意思的是美国只禁了氧化镓和金刚石，不提氮化铝和氧化锌，嘿嘿！说明他们这块不行，氮化铝可能还是日本和中国搞的出色些。 禁带宽度物理意义是实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产

碳化硅陶瓷在新能源领域的潜力[ 09-05 16:13 ]

碳化硅陶瓷是从20世纪60年代开始发展起来的一种先进陶瓷材料，由于具备化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、密度小、耐磨性能好、硬度大、机械强度高、耐化学腐蚀等特性，在精细化工、半导体、冶金、国防军工等领域都有着广泛的应用。 值得关注的是，在近年发展得如火如荼的锂电池领域中，碳化硅陶瓷在其原料的制备环节上也同样发挥着重要作用，如： ①磷酸铁锂正极材料的超细研磨 磷酸铁锂是目前广泛使用的锂电池正极材料之一。由于纳米粒子可减小锂离子嵌入脱出深度和行程，保证大电流放电时容量不衰减，因此“超

英飞凌与II-VI公司签署碳化硅衬底长期供货协议[ 08-31 17:28 ]

英飞凌科技与美国供应商II-VI（高意集团）签署了一份为期多年的供应协议，以进一步扩大其150毫米碳化硅晶圆供应商范围，此外，协议还包括双方共同开发200毫米碳化硅晶圆。 该协议支持英飞凌的多来源战略，提高了其关键碳化硅材料供应链弹性。第一批晶圆片已经交付。 作为战略合作伙伴，II-VI和英飞凌也将合作向200毫米直径碳化硅晶圆过渡，以实现更高产率和更低成本的碳化硅器件。II-VI目前正在包括中国在内的多地拓展150毫米和200毫米碳化硅衬底产能。 英飞凌表示，其专利CoolSiC系列产品已经是工

牛津仪器推出新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）解决方案[ 08-27 16:47 ]

据粉体圈整理消息：8月22日，牛津仪器（OxfordInstrumentsplc）旗下等离子技术公司（PlasmaTechnology）推出一种新型SiC外延衬底化学机械抛光（CMP）的替代解决方案——等离子抛光干法蚀刻（PPDE），它不仅更清洁、环保、低成本，并且更稳定。 CMP多年来一直是SiC衬底制备的最好选择，但它存在不良率的顽疾，这在当前满足SiC需求增长十分不利。首先，CMP浆料存在一定毒性，晶圆厂的CMP流程会对环境造成很大影响，并且大量消耗水资源；其次，CMP所须的抛光

晶盛机电成功研发出8英寸N型SiC晶体[ 08-26 17:05 ]

8月12日消息，经过晶体实验室研发团队半年多的技术攻关，晶盛首颗8英寸N型SiC晶体成功出炉，标志着晶盛第三代半导体材料SiC研发自此迈入8英寸时代，同时这也是晶盛在宽禁带半导体领域取得的又一标志性成果。 据了解，此次研发成功的8英寸SiC晶体，晶坯厚度25mm，直径214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶体研发上取得的重大突破。 在技术上，晶盛成功解决了8英寸晶体生长过程中多个难点问题，比如温场不均、晶体开裂、气相原料分布等等。 此外，还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛

哈尔滨科友半导体6英寸碳化硅衬底正式投产[ 08-25 11:37 ]

据粉体圈消息：8月18日，位于哈尔滨新区，投资10亿元建设的科友第三代半导体产学研聚集区项目一期正式投产，预计年底全部达产后可形成年产能10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。 据悉，哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司（科友半导体）成立于2018年，是一家专注于第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计、技术转移和科研成果转化的国家级高新技术企业。去年7月，科友半导体产学研聚集区项目正式开工建设。主要建设中俄第三代半导体研究院、中外联合技术创新中心、科友半导体衬底制备中心、科友半导体高端装备制造中心、国际

士兰微启动6吋（150mm）SiC功率器件生产线建设项目[ 08-24 10:28 ]

据粉体圈消息：7月30日，杭州士兰微电子股份有限公司发布对外投资进展公告，将启动化合物半导体第二期建设，即实施“SiC功率器件生产线建设项目”，拟建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，项目总投资为15亿元，建设周期3年，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能（主要产品为SiCMOSFET、SiCSBD）。 2017年12月，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》，双方共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（士兰明镓），在厦门

集成电路制造装备用精密陶瓷结构件制备难点[ 08-17 14:46 ]

在IC产业中，集成电路制造装备具有极其重要的战略地位，以光刻机为代表的集成电路关键装备是现代技术高度集成的产物，其设计和制造过程均能体现出包括材料科学与工程、机械加工等在内的诸多相关科学领域的最高水平。集成电路制造关键装备要求零部件材料具有轻质高强、高导热系数和低热膨胀系数等特点，且致密均匀无缺陷，还要求零部件具有极高的尺寸精度和尺寸稳定性，以保证设备实现超精密运动和控制，因此对材料性能以及制造水平要求非常苛刻。 碳化硅陶瓷具有高的弹性模量和比刚度，不易变形，并且具有较高的导热系数和低的热膨胀系数，热稳定性高

天岳先进6英寸导电型碳化硅衬底获14亿订单[ 08-12 14:25 ]

粉体圈消息：近期，天岳先进发布公告，公司签署了时长三年(2023-2025)的6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同，据测算，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。但对于签约客户名称和具体情况，天岳先进本次并未披露。 去年12月30日，天岳先进首次公开发行股票并在科创板上市，据招股说明书，拟募集资金20亿元主要用于碳化硅半导体材料项目，该项目主要用于生产6英寸导电型碳化硅衬底材料，计划于2026年达产，达产后将新增碳化硅衬底材料产能约30万片/年。 今年6月，天岳先进在投资者互动平台表示，他们已成

2022车用碳化硅器件市场规模有望突破10亿美元[ 08-11 14:22 ]

中国粉体网讯 据研究机构TrendForce预测，随着越来越多车企开始导入碳化硅功率器件，2022年这一市场规模有望达到10.7亿美元，2026年将进一步攀升至39.4亿美元。 TrendForce表示，目前碳化硅功率器件份额主要集中于欧美日IDM大厂，如意法半导体、安森美、Wolfspeed、英飞凌、罗姆，这些巨头目前还正在积极向上游衬底材料环节布局，已试图进一步降低成本，提高碳化硅器件性价比和供货稳定性，未来随着衬底材料制备、加工技术进步，模组设计、封装工艺迭代，碳化硅器件有望从高端车型逐渐渗透

理想汽车重磅布局碳化硅（SiC）芯片[ 08-09 17:24 ]

理想汽车创始人、董事长兼CEO李想曾表示，碳化硅电驱系统是理想汽车高压纯电平台的四个核心技术之一。 日前，理想汽车重磅布局碳化硅（SiC）芯片，功率半导体研发及生产基地日前落户苏州。 此次落户的理想汽车功率半导体研发及生产基地由理想汽车与国内半导体龙头企业三安光电共同出资组建苏州斯科半导体有限公司，主要专注于第三代半导体碳化硅车规芯片模组的研发及生产。 早在1月25日，北京车和家和三安光电宣布共同设立经营一家合资公司，将主要从事新能源汽车SiC芯片和模块的研发，这家合资公司可能就是2022年3月成

一汽红旗汽车目前已完成对碳化硅进行装车测试[ 08-08 10:35 ]

国内外车企都深谙800V高压快充是里程焦虑的“破局者”之道，而“SiC+800V”这套组合拳在现在看来也是趋势。 据了解，一汽的红旗轿车目前已经对碳化硅进行装车测试，他们计划，未来将开发800V碳化硅系统，未来几年，红旗车型将正式采用碳化硅器件。 2019年3月，一汽与美国ACP、亿马先锋成立协同创新实验室，将开展碳化硅技术等研究。 2020年5月，一汽领投1亿元，成为亿马先锋的第二大股东。 2021年5月18日，一汽集团合资企业苏州亿马半导体