0
半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层,制得碳化硅基氮化镓外延片,可进一步制成氮化镓射频器件。碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域,以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面,5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点,要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件,以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势,能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能,成为5G基站功率放大器的主流选择。在国防军工领域,碳化硅基氮化镓射频器件已经代替了大部分砷化镓和部分硅基LDMOS器件,占据了大部分市场。
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 碳化硅、白刚玉等磨料微粉是如何进行颗粒整形?
- 大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积(CVD)技术
- 碳化硅陶瓷反应连接技术
- 高精度碳化硅陶瓷制品无模成型工艺
- 碳化硅陶瓷凝胶注模成型工艺
- 集成电路制造装备用精密陶瓷结构件的特点
- 固相烧结碳化娃(SSiC)优缺点
- 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光?
- 一张图:碳化硅这样提纯,能行吗?
- 碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术优点