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碳化硅器件市场增长背后，是十年来中国半导体企业从材料到装备到芯片、器件的全链条布局。
在国内最大的碳化硅材料产业基地，一张张薄薄的碳化硅晶片一字排开，这些晶片厚度不足0.5毫米，直径从2英寸、4英寸到8英寸，是先进的第三代半导体材料。
晶片的尺寸和质量，直接影响着下游的碳化硅器件的成本和性能。尺寸越大，成本就越低。十年前，中国电科旗下的这家企业对2英寸碳化硅晶片还处在研制阶段，现在，已经实现了6英寸晶片的规模化生产，年产能达到15万片，处于国内前列。今年3月，这家企业还率先发布了新一代8英寸碳化硅晶片产品。
电科材料山西烁科晶体有限公司常务副总经理魏省汝：2009年，我们已经研制出了2英寸的碳化硅衬底（晶片），当我们把衬底（晶片）的尺寸从2英寸扩展到4英寸，单个芯片的成本可以降到原来的1/4。现在再做到8英寸，相当于在4英寸基础上又可以再降低70%到80%的成本。
研制大尺寸、高性能的晶片，碳化硅晶体生长装备是关键。十年前，中国电科研发的碳化硅长晶装备，仅能生产2英寸或4英寸的小尺寸晶体，工艺水平和生产效率都不高。目前，这些晶体生长以及产业链配套相关装备，已经完成了多轮迭代升级。
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