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由于Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，SiC有着超过200种（目前已知）同质多型族。
其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC（碳化硅具有优良的物理和化学性能）。
最常用的多型是：
4H-SiC——功率集成电路应用
6H-SiC——射频应用
在不同的晶面上生长不同的晶锭多型体：
4H-SiC——在碳(C)面晶种上生长
6H-SiC——在硅(Si)面晶种上生长
与硅相比，SiC的多型性使SiC的外延生长和衬底制备更加复杂。
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