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众所周知，SiC材料具有许多重要特性：其击穿电场强度是硅材料的10倍左右，最高结温可达600℃……因此，SiC器件结构具有天生的耐高温能力，在真空条件下耐压甚至可达400至600℃。SiCMOSFET自身损耗小，发热量小，自身温升相对较小。“SiC的导热率比硅更好，（大约是硅的三倍），熔点更高（2830℃，而硅是1410℃），所以本质上SiC的耐受温度比硅高出很多。”所以，SiC更适合高温工作环境。
2010年5月，一家头部公司称其新技术显著提高了IGBT模块寿命10倍，输出功率可以增加25%，支持高达200℃结温。如果硅器件也能够这样，我们也就不会在这里讨论SiC结温了。
事实上，150℃结温仍是SiC目前的最高标准，175℃结温等级刚开始崭露头角，封装也在准标准化阶段，耐针对200℃乃至更高结温对封装材料和工艺的要求十分严苛，且必须根据片芯特征进行定制设计，才能满足更高的导热和散热性要求。
从应用角度看，MOSFET、IGBT，包括SiCMOSFET器件数据表载明的最高结温就是175℃。最高结温受芯片和封装的影响。结温从125℃提高到150℃，花了约20年时间；从150℃提高至175℃，又是差不多10年，业界曾认为到2020年，200℃器件就可以市场化，但是并没有实现。
有没有必要提高结温？上面说过，现在硅和SiC器件的最高结温也就是175℃，是否有必要提高结温呢？相关业内人士认为：“让SiC方案的额定温度超过175℃是实现产品差异化的重要因素。这需要增加SiC产品的安全工作区（SOA）。另一方面，由于缺乏可用的通用封装材料，高额定温度的封装离实现还有很长的路要走。”
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