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生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体；固相法中的改进自蔓延高温合成法是目前使用范围最广，合成工艺最成熟的SiC粉体的制备方法。
目前合成单晶生长用高纯SiC的方法并不多，以CVD法和改进的自蔓延合成法为主，其中气相法合成的粉体多为纳米级，生产效率低，无法满足工业需求；同时，固相法制备过程的众多杂质中，N元素的含量一直居高不下。后续应该在高纯SiC粉体粒径和晶型对晶体生长的影响方面进行深入研究，从而加强对高纯SiC粉体形状、粒度、粒径分布等参数的有效控制，并且对如何减少高纯SiC粉体中N元素的含量还需进一步的研究。
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