0
碳化硅晶片经过清洗可以有效去除表面沾污和杂质，同时保证不引入新的杂质，从而使最终的碳化硅晶片产品满足半导体下游客户的要求。
传统的硅衬底材料使用RCA标准清洗方法来去除材料表面的污染，但是碳化硅是一种极性晶体，表面带有一定的电荷，吸附污染物后变得更加难以清洗。
下一篇：导电型碳化硅衬底的主要应用上一篇： 低翘曲度碳化硅晶体切割技术难点
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 碳化硅、白刚玉等磨料微粉是如何进行颗粒整形？
- 大面积碳化硅陶瓷膜层化学气相沉积（CVD）技术
- 碳化硅陶瓷反应连接技术
- 高精度碳化硅陶瓷制品无模成型工艺
- 碳化硅陶瓷凝胶注模成型工艺
- 集成电路制造装备用精密陶瓷结构件的特点
- 固相烧结碳化娃(SSiC)优缺点
- 如何实现碳化硅晶圆的高效低损伤抛光？
- 一张图：碳化硅这样提纯，能行吗？
- 碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术优点
最新资讯文章
您的浏览历史
