0
碳化硅具有很高的导热系数，同时其化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好，并具有优异的抗热震性。所以，碳化硅质材料是陶瓷换热器的首选材料。碳化硅在水蒸气、含氧气氛中存在高温氧化问题。含氧气氛中，碳化硅在800℃以上开始被氧化，可形成一层SiO2保护膜，在温度高于1200℃时该保护膜即软化被冲蚀破坏，换热元件寿命迅速缩短。这也是一般碳化硅换热元件最高用到1200℃的原因。碳化硅与蒸汽自1000℃开始强烈反应，腐蚀生成的SiO2与水蒸气发生挥发反应，生成气态的Si(OH)4，不能形成保护膜。
因此在碳化硅换热器设计时候要注意以下问题：
（1）烟气含有较多的水蒸气和少量氧气，烟气侧温度不宜超过1200℃。
（2）空气中包含大量氧气和少量水蒸气，空气侧温度不宜超过1000℃，极限为1200℃。
（3）蒸汽环境中，蒸汽与碳化硅在高温下剧烈反应，存在爆炸风险，蒸汽温度不宜超过1000℃。
（4）煤气中含有H2、CO、H2O，煤气温度不宜超过1000℃。水蒸气与碳化硅反应形成SiO2，而H2具有还原性，在高温下H2与SiO2快速发生反应，使SiO2还原，造成换热元件表面出现裂纹、松弛等。
下一篇：光刻机精密部件的主选材料--碳化硅陶瓷上一篇： 陶瓷换热器对碳化硅材料的要求
相关资讯
最新产品
同类文章排行
- 国内碳化硅功率器件离正式量产还有一段距离
- 国内碳化硅外延的难点
- 国内碳化硅衬底的难点
- 碳化硅功率器件的性能优势
- 三种生长SiC单晶用SiC粉体制备方法的优缺点
- 碳化硅晶圆生产用高纯碳化硅粉制备方法
- 碳化硅粉在碳化硅晶圆生产中的应用
- 碳化硅功率器件的多功能集成封装技术和散热技术介绍
- 碳化硅功率器件的高温封装技术介绍
- 碳化硅功率器件的低杂散电感封装技术介绍
最新资讯文章
您的浏览历史
