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- “宁王”也盯上了碳化硅！[ 07-11 15:47 ]
- 宁德时代已经在半导体尤其是在第三代半导体领域布局颇深。在半导体领域，宁德时代投资了芯迈、天科合达、上海瀚薪、天岳先进，在芯片领域投资了寒武纪、杰华特微电子等。 2020年10月，宁德时代携手湖北小米长江产业基金合伙企业（有限合伙）等8家企业入股杭州芯迈半导体技术有限公司。资料显示，芯迈半导体成立于2019年9月，公司经营范围包括系统集成、集成电路及模块、电子产品的技术开发、技术服务、成果转让；集成电路芯片的生产（限分支机构经营）、测试、安装；电子产品、集成电路芯片的销售等。其中，宁德时代新能源科技股份有限公司
- 中科院上硅所3D打印高精、高强、高密度碳化硅陶瓷研究进展[ 07-09 17:44 ]
- 6月26日，AdditiveManufacturing（增材制造）期刊在线发布了中科院上硅所研究团队在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得的成果——这种用于制造反应键合碳化硅陶瓷的新型成型方法为"材料挤压和激光熔覆制备"制备高精度、高强度、高密度SiC陶瓷镜提供了参考，同时该塑性体打印方法还避免了微重力条件下粉体打印潜在的危害，为未来空间3D打印提供了可能。 随着光学元件孔径的增大，碳化硅光学元件与支撑结构的一体化设计将导致碳化硅光学元件的结构更加复杂，这是传统陶瓷成型和烧
- 光刻机用碳化硅陶瓷结构件产业格局[ 07-08 16:42 ]
- 目前全球集成电路制造装备支出达到500亿美元，其中陶瓷结构件占支出的20%以上。目前IC制造装备用高端碳化硅陶瓷零部件70%被Kyocera、CoorsTek两家公司垄断，剩余部分也被欧美日企业所占据。 Kyocera和CoorsTek产品的特点是种类齐全、市场覆盖面广，以半导体用陶瓷组件为例，CoorsTek提供的精密陶瓷结构件涵盖了光刻机专用组件、等离子刻蚀设备专用组件、PVD/CVD专用组件、离子注入设备专用组件、晶片吸附固定传输专用组件等一系列产品；Kyocera则提供光刻机、晶圆制造设备、刻蚀机、沉
- 碳化硅陶瓷精密结构部件制备工艺[ 07-07 15:39 ]
- 采用碳化硅作为光刻机等集成电路关键装备用精密结构件材料具有极大的优势。但是传统的陶瓷制备工艺如注浆、干压等很难实现诸如光刻机工作台这类复杂部件的制备。为此，中国建材总院研发出一系列成型、烧结技术，解决了采用碳化硅材料制作此类部件的国产化问题。 碳化硅陶瓷具有高强度、高硬度、高弹性模量、高比刚度、高导热系数、低热膨胀系数等优良性能，是一种理想的高性能结构材料，但将其应用于制备具有“大、厚、空、薄、轻、精”特点的光刻机等集成电路关键装备用精密结构件时，却存在诸多的技术难点和挑战，比如如何实
- 碳化硅陶瓷结构件在光刻机中的应用[ 07-06 16:37 ]
- 集成电路制造关键技术及装备主要有包括光刻技术及光刻装备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求。 ●碳化硅工件台 以光刻机中工件台为例，该工件台主要负责完成曝光运动，要求实现高速、大行程、六自由度的纳米级超精密运动，如对于100nm分辨率、套刻精度为33nm和线宽为10nm的光刻机，其工件台定位精度要求达到10nm，掩模-硅片同时步进和扫描速度分别达到150nm/s和12
- 光刻机精密部件的主选材料--碳化硅陶瓷[ 07-05 14:29 ]
- 碳化硅陶瓷具有高的弹性模量和比刚度，不易变形，并且具有较高的导热系数和低的热膨胀系数，热稳定性高，因此碳化硅陶瓷是一种优良的结构材料，目前已经广泛应用于航空、航天、石油化工、机械制造、核工业、微电子工业等领域。但是，由于碳化硅是Si-C键很强的共价键化合物，具有极高的硬度和显著的脆性，精密加工难度大；此外，碳化硅熔点高，难以实现致密、近净尺寸烧结。 因此，大尺寸、复杂异形中空结构的精密碳化硅结构件的制备难度较高，限制了碳化硅陶瓷在诸如集成电路这类的高端装备制造领域中的广泛应用。目前只有日本、美国等少数几个发达
- 上海硅酸盐所在3D打印碳化硅陶瓷研究中取得新进展[ 07-04 17:25 ]
- 碳化硅（SiC）陶瓷由于其易氧化、难熔融、高吸光，成为3D打印陶瓷中亟待攻克的难题，目前大多数3D打印SiC陶瓷方法中打印材料固含量较低、硅含量较高、力学性能较低，普遍采用化学气相沉积CVI（ChemicalVaporInfiltration）或者前驱体浸渍裂解PIP（PrecursorInfiltrationPyrolysis）等后处理工艺提高材料固含量来实现陶瓷材料综合性能的提升，这样势必降低3D打印SiC陶瓷工艺的优越性。 近日，中国科学院上海硅酸盐研究所黄政仁研究员团队陈健副研究员首次提出高温熔融沉积
- 碳化硅上车时机已成熟？[ 06-25 16:51 ]
- 不管从SiC自身前景还是市场的追捧程度来看，SiC的商业化的进程总会存在各种各样的问题，而一旦涉及「上车」这个话题，难度似乎又提升了几个等级。 随着新能源汽车市场迅速崛起，再加功率半导体厂商与车企的产业链协同“作战”，跨越车规级SiC的门槛，成功“上车”的脚步也显著加快。 碳化硅真的是让整个电动汽车产业彻底“着了迷”，而电动汽车在高速增长的同时也带动了市场对碳化硅功率器件的需求。 让电更有效的技术正变得越来越关键。不管是SiC
- 总投资5亿元碳基复合材料项目落户莱西[ 06-24 16:33 ]
- 6月17日,总投资5亿元，山东省首个围绕碳基复合材料生产、销售一站式供应的青岛晶易碳基复合材料生产项目正式签约落户莱西。 碳基复合材料具有高强度和高模量特性，耐高温、耐烧灼、重量轻、抗热机械冲击，用碳基复合材料制成的构件质量轻、刚性好，可用最小的壁厚做成结构稳定的构件，提高设备容量和装载能力，是航天航空领域的优选材料之一。 青岛晶易是一家专业从事碳基复合材料产品研发、生产销售的企业。专注于碳基复合材料的核心工艺，其生产的碳基复合材料是光伏、新能源汽车、航天航空等领域不可或缺的优选材料，生产的碳碳埚邦、外
- 中电化合物携手浙大，聚焦碳化硅和氮化镓[ 06-23 16:09 ]
- 近日，中电化合物半导体有限公司和浙江大学材料科学与工程学院成立联合培养实践基地。 旨在加强产学研合作，聚焦碳化硅和氮化镓材料，培养兼具丰富理论知识和实践能力的高层次材料工程人才。 中电化合物以此为契机，加大人才引进力度，以创新为抓手，持续研发投入，打造公司的核心竞争力。 中电化合物公司是由中国电子下属的华大半导体投资的一家做碳化硅SiC晶体、衬底、外延片和GaN外延片产品的专业化宽禁带半导体材料制造企业。 2019年，中电化合物半导体项目落户在宁波杭州湾新区，是浙江省首个第三代半导体项目，总
- MIT中国博后联合通用电气研发新型多尺度多孔碳化硅陶瓷热交换器[ 06-22 14:59 ]
- 高温热交换器被广泛地应用在太阳能、核能发电以及混动、电动航天等领域。然而，由于苛刻的操作环境，高温热交换器往往成为整个系统的“瓶颈”。 在高温高压工作状态下，使用超临界二氧化碳替代传统的蒸汽循环，会大幅度地提升能源效率。尽管高温合金与陶瓷可承受高温、高压的负载，但在传统的热交换器设计中，使用这些材料制作高温热交换器不仅价格高、功率密度低，而且高温热交换器自身体积庞大、质量大，这些不利因素严重地制约了其在可持续能源以及电动航空的发展。 近日，美国麻省理工学院（MIT）、普渡大学以及
- 比亚迪等新能源车企扎堆布局碳化硅 产业迎来爆发式增长[ 06-21 11:30 ]
- 近期，新能源车企加快布局碳化硅（SiC）步伐，相关领域投资迎来密集落地。日前，新能源汽车龙头比亚迪入股天域半导体，华为关联公司深圳哈勃科技投资也于去年入股该公司。 资料显示，天域半导体是国内第一家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业，目前正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。6月初，碳化硅功率器件公司深圳基本半导体宣布完成C2轮融资，由广汽资本等机构联合投资。5月下旬，由理想汽车及三安光电共同出资组建的碳化硅车规芯片模组公司苏州斯科半导体落户苏州。 作为第三代半导体材料的
- 日本IDM大厂罗姆SiC功率半导体计划将产能增加6倍[ 06-20 17:27 ]
- 据粉体圈整理消息：近期，日本IDM大厂罗姆(Rohm)计划2025年前，要将碳化硅(SiC)功率半导体的营收扩大至1000亿日元以上。为此，罗姆最大将投资1700亿日元使碳化硅功率半导体的产能在2025年时增加至2021年时的6倍。 罗姆6月8日在日本福冈县筑后市举行碳化硅功率半导体专用生产厂房启用仪式。罗姆社长松本功表示，要以新厂房为起点，目标在2025年度成为全球市占龙头。这也是日本半导体制造商首度在日本国内建设碳化硅功率半导体的专用厂房。 据《日本经济新闻》报道，目前罗姆在全球整体功率半导体市场市
- 蓝海华腾、广汽资本投资基本半导体 抢滩布局碳化硅百亿市场[ 06-19 16:22 ]
- 6月7日,蓝海华腾、广汽资本、润峡招赢等机构完成了对国内第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件企业——基本半导体的C2轮融资。本次投资意味着蓝海华腾加紧开拓布局第三代半导体碳化硅器件领域，通过助力基本半导体在碳化硅功率器件上的研发进度以及制造基地的建设，共同加强双方在新能源汽车市场的拓展。 公开资料显示，蓝海华腾于2016年在深交所创业板上市，是一家拥有完全自主知识产权，专业致力于新能源汽车驱动和工业自动化控制产品的研发、生产、销售以及整体方案解决的国家高新技术企业。 蓝海华腾本次
- 德智新材投资2.5亿半导体用碳化硅蚀刻环项目完成主体工程建设[ 06-17 17:19 ]
- 近日，在新马工业园内，湖南德智新材料有限公司半导体用碳化硅蚀刻环项目完成了主体工程建设，并预计在明年初投产，一项“卡脖子”的高精尖技术，即将在株洲顺利实现产业化。 SiC刻蚀环是半导体材料在等离子刻蚀环节中的关键耗材，在半导体芯片产业链上是一种不可或缺的重要材料。SiC刻蚀环对纯度要求极高，因此只能采用CVD工艺进行生长SiC厚层块体，随后经精密加工而制得，主要用于半导体刻蚀工艺的制备环节。长期以来，围绕半导体及其配套材料的发展一直是我国生产制造中的薄弱环节，但因其技术壁垒高，长期被美
- 碳化硅陶瓷换热器设计时要注意的问题[ 06-16 16:15 ]
- 碳化硅具有很高的导热系数，同时其化学性能稳定、热膨胀系数小、耐磨性能好，并具有优异的抗热震性。所以，碳化硅质材料是陶瓷换热器的首选材料。碳化硅在水蒸气、含氧气氛中存在高温氧化问题。含氧气氛中，碳化硅在800℃以上开始被氧化，可形成一层SiO2保护膜，在温度高于1200℃时该保护膜即软化被冲蚀破坏，换热元件寿命迅速缩短。这也是一般碳化硅换热元件最高用到1200℃的原因。碳化硅与蒸汽自1000℃开始强烈反应，腐蚀生成的SiO2与水蒸气发生挥发反应，生成气态的Si(OH)4，不能形成保护膜。 因此在碳化硅换热器设计
- 陶瓷换热器对碳化硅材料的要求[ 06-15 17:14 ]
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- 碳化硅陶瓷换热器为什么受欢迎?[ 06-14 16:01 ]
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- 立方SiC(β-SiC)粉体的应用[ 06-13 17:11 ]
- β-SiC粉体有很高的化学稳定性、高硬度、高热导率、低热膨胀系数、宽能带隙、高电子漂移速度、高电子迁移率、特殊的电阻温度特性等，因此具有抗磨、耐高温、耐热震、耐腐蚀、耐辐射、良好的半导体特性等优良性能，被广泛应用于各行各业，例如：电子、信息、精密加工技术、军工、航空航天、高级耐火材料、特种陶瓷材料、高级磨削材料和增强材料等领域。其应用范围主要分为以下几类： 01粉体原料 在高级结构陶瓷、功能陶瓷及高级耐火材料市场有着非常广阔的应用前景。低温下，β-SiC是一种亚稳定相，在1600℃左
- β-SiC（立方SiC）的特性[ 06-11 16:58 ]
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