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- 甘肃天水签20亿大单，打造碳化硅陶瓷复合产业园[ 06-10 14:54 ]
- 据粉体圈消息：6月1日，甘肃天水清水县政府与山东华贸控股集团举行高性能碳化硅复合材料产业园项目签约仪式。该项目预计投资20亿元，一期建设工业厂房、办公、研发中心等共计12万平方米，建设3条碳化硅生产线，氮化硅结合碳化硅复合材料及制品生产线以及石英砂矿生产线，于2023年10月份前建成投产；二期将于2025年底全部达产。 山东华贸控股集团在清水县投资建设高性能无压烧结碳化硅及氮化硅结合碳化硅高耐制品等陶瓷基复合材料产业园及配套石英砂矿项目，主要建设25万吨高性能无压烧结碳化硅材料、3万吨高性能陶瓷制品生产线、3
- 碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术优点[ 06-09 16:47 ]
- 碳化硅耐磨陶瓷胶粘涂层技术具有如下优点： 1、可现场施工，而且施工方法简单，易于造形，厚度可控制，因此适用范围广泛。 2、高附着力，涂层可靠性高，使用寿命长。 3、涂层硬度高，7H左右，致密耐磨，表面光滑，可打磨加工。 4、有多种防护功效，应用范围相当广泛。既用于各种装备构件的防护（密封防渗漏，抗磨，防腐，电绝缘），也可用于各种结构件的修理，达到修旧利废的目的。 5、涂层有一定的自润滑功能，摩擦系数相对较低，越磨越光滑，耐磨性能良好。 6、涂层本身不燃，具有良好的阻燃功效。
- 总投资20亿！江苏又增碳化硅项目[ 06-08 16:42 ]
- 前段时间，江苏扬州签约了1个碳化硅项目。但其实，当时签约的还有另一个碳化硅项目——南京宽能半导体有限公司项目。 中国江苏网近日报道称，江苏扬州在4月21日举行了“重大招商项目暨央企区域总部项目视频签约活动”，其中宽能半导体项目正式签约落户于浦口经开区，总投资为20亿元。 报道称，该项目计划投资14亿元，用于生产6吋硅基集成电路芯片及功率器件。但“三代半风向”了解后发现，该项目也将主要从事碳化硅晶圆代工。 据了解，宽能半导体成立
- FreeWire 募资8.4亿 加速 SiC 充电桩部署[ 06-07 15:40 ]
- 4月29日，美国超快电动汽车充电和能源管理解决方案商FreeWireTechnologies完成了D轮融资，募资1.25亿美元（约8.4亿人民币），用于支持其电池集成超快EV充电技术的商业部署、并提高公司的研发、制造能力。 据介绍，FreeWire专有的电池集成充电技术BoostCharger，采用了160kWh集成锂离子电池和碳化硅开关技术，将充电基础设施、电网基础设施和能源存储打包成一个完全集成的紧凑型解决方案。 该装置提供CCS1/CCS2和CHAdeMO连接器。CCS输出为150千瓦；CHAde
- 第三代半导体——碳化硅究竟用在哪？[ 06-06 16:37 ]
- SiC是目前相对成熟、应用最广的宽禁带半导体材料，基于SiC的功率器件相较Si基器件具有耐高压、耐高温、抗辐射、散热能力佳、导通损耗与开关损耗更低、开关频率更高、可减小模块体积等杰出特性，不仅可广泛用于电动汽车驱动系统、列车牵引设备、充电桩、开关电源、光伏逆变器、伺服电机、高压直流输电设备等民用场景，还可显著提升战斗机、战舰等军用系统装备的性能。 1.新能源汽车 车载充电机（OBC）：车载充电机是指固定在汽车上，可将地面的交流充电桩输入的交流电转换为直流电，直接给动力电池充电，充电过程中宜由车载充电机提
- 关于发展碳化硅产业一些理性思考[ 06-04 16:14 ]
- 目前，国内碳化硅产业看上去红红火火，但硅的霸主地位依旧不可撼动，80%集成电路仍在使用硅，而碳化硅的优势主要在于其功率特性。 车用市场是碳化硅首先引爆的应用市场，2022年以后，SBD会因为国内厂商的崛起引发激烈竞争，而车规MOSFET应用的高壁垒形成了精英赛道，能够跑到最后的竞争者有限。因此，是否有能力开展MOSFET的研发，是否有能力出货，就成了判断碳化硅器件公司成功与否的客观标准。 未来，从产业链价值分布及客户优势等方面看，上游拥有衬底量产技术、外延能力的企业，以及拥有功率半导体器件经验、下游客户
- 碳化硅专利市场中国力量值得期待[ 06-03 17:19 ]
- 专利格局反映了新兴行业的新参与者进入市场之前的准备情况，可以更好地了解他们在特定技术方面的专业知识和诀窍。Knowmade化合物半导体和电子技术和专利分析师RémiComyn表示：“专利反映了一个国家或参与者在特定技术上的研发投资水平，同时也暗示了主要IP参与者达到的技术准备水平。此外，价值链上的技术覆盖率和专利组合的地理覆盖率与IP参与者的业务战略密切相关。” 尽管历史上的IP厂商（Wolfspeed、SiCrystal、II-VI）不断申请新的专利，表明其技术不断改进
- 多家碳化硅功率器件制造商与碳化硅晶圆供应商签署协议解决供应问题[ 06-02 17:10 ]
- 生长碳化硅晶体是一个漫长而困难的过程，而且制造高质量和大面积的碳化硅晶圆仍然很昂贵，因此能够提供此类晶圆的公司数量非常有限。为了缓解这两个问题，主要的碳化硅功率器件制造商都已与多家碳化硅晶圆供应商（如英飞凌与Wolfspeed和ShowaDenko、ST与Wolfspeed和SiCrystal）签署了LTSA，和/或通过收购碳化硅材料供应商实现衬底自供，采用了垂直整合模式（例如，ST收购Norstel、罗姆收购SiCrystal、安森美收购GTAT），重塑了碳化硅生态系统。 此外，越来越多的碳化硅晶圆供应商正
- 电动汽车推动下碳化硅现大格局[ 06-01 17:05 ]
- 据与非网eefocus介绍：Knowmade近日发布了一份新的碳化硅（SiC）知识产权（IP）报告，分析师选择并分析了500多个不同实体提交的13,700多个专利族（发明），从专利格局的角度对碳化硅的竞争、技术发展和进行了全面分析，涵盖碳化硅晶锭和外延、衬底到碳化硅器件、模块和电路。 YoleDédevelopement最近预测，未来几年碳化硅功率器件市场将达到数十亿美元，2027年将超过60亿美元，2021-2027年预计复合年增长率为34%。但碳化硅晶圆业务的进入壁垒非常高，目前能够为功率器
- 全球碳化硅外延片需求发展及外延竞争格局[ 05-31 14:59 ]
- 根据Yole提供碳化硅外延片市场需求数据，现在的市场已从4英寸向6英寸转变，从2019年开始，6英寸的需求已经远超4英寸的需求。当前外延主要以4英寸及6英寸为主，往后大尺寸碳化硅外延片占比会逐年递增。虽然当前国际先进厂商已经研发出8英寸碳化硅衬底，但其进入碳化硅功率器件制造市场将是一个漫长的过程。 在全球外延厂商市场格局中，头部企业主要有Wolfspeed(Cree)、DowCorning、II-VI、Norstel、ROHM、三菱电机、Infineon等，其多数是IDM公司，CR7占据市
- 全球碳化硅器件市场规模及外延所占成本结构[ 05-30 15:56 ]
- 根据中商产业研究院提供数据，2018年和2021年碳化硅功率器件市场规模分别约4亿和9.3亿美元，复合增速约32.4%，按照该复合增速，预计2022年碳化硅功率器件市场规模约10.9亿美元。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅器件市场规模增速可观。 从碳化硅器件的制造成本结构来看，衬底成本最大，占比达47%；其次是外延成本，占比为23%。这两大工序是碳化硅器件的重要组成部分。
- 碳化硅产业链的“中坚力量”：外延生长[ 05-28 15:42 ]
- 碳化硅产业链主要分为衬底制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺不同，无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。外延生长作为承上启下的重要环节，是产业链的中坚力量。 碳化硅产业链主要分为衬底制备、外延生长、器件制造、模块封测和系统应用等几个重要的环节。碳化硅器件与传统硅功率器件制作工艺不同，无法直接在碳化硅单晶材料上制备，需在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各
- 昭和电工（SDK）实施8英寸碳化硅晶圆技术开发9年计划[ 05-27 16:39 ]
- 据粉体圈消息：5月23日,昭和电工（SDK）提出的“8英寸SiC晶圆技术开发计划”被日本新能源和工业技术开发组织(NEDO)选定为“绿色创新基金项目”。而就在今年3月，昭和电工刚刚宣布正式量产直径6英寸(150mm)的碳化硅晶圆。 2020年10月，日本政府宣布其目标是到2050年实现碳中和。能源、贸易和工业部(METI)为此设立2万亿日元的绿色创新基金，并由NEDO出面对创新进行相应的投资。 作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供Bes
- 露笑科技有望成为国产6英寸碳化硅衬底规模供应厂商[ 05-26 17:34 ]
- 据粉体圈消息：日前，证监会发行审核委员会通过了露笑科技拟非公开发行股票募资不超过25.67亿元的定增预案，主要用于新建碳化硅产业园及大尺寸碳化硅衬底片研发中心。 近年来我国碳化硅器件厂商的原材料供应受到较大程度的制约，下游市场尤其汽车市场对碳化硅半导体需求的走强，出现了供不应求的局面。提高碳化硅衬底材料的国产化率、实现进口替代是我国宽禁带半导体行业亟需突破的产业瓶颈。但是碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高，国内能够向企业用户稳定供应6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。 据悉，露笑科技本次募投项目完成后将形
- 碳化硅晶片去除表面损伤的4种常用方法[ 05-25 15:30 ]
- 碳化硅单晶生长之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是没法直接用于外延的，这就需要加工。其中，滚圆把晶碇做成标准的圆柱体，线切割会把晶碇切割成晶片，各种表征保证加工的方向，而抛光则是提高晶片的质量。 晶片的表面会有损伤，损伤源于本来晶体生长的缺陷、前面加工步骤中的破坏。对于局部损伤，世界上有四种方法：不管、更换、修补、去除；对于碳化硅表面的损伤层，不管不顾肯定不行，因为会影响器件的成品率；更换晶片，不就是砸自己的饭碗嘛；修补其实是再次生长，现在没有低成本的方案；而去除是一条还算可行的，用一定的材料废弃，来提高总体材料
- “三驾马车”拉动碳化硅崛起[ 05-24 16:18 ]
- 行业周知，新能源汽车发展十分迅猛，而且对硅芯片和碳化硅芯片需求量很大。未来，碳化硅芯片如何满足新能源汽车的需求，成为了市场关注的焦点。 随着摩尔定律的放缓，后摩尔时代对于各种新材料的导入和工艺的演进起到了很大的推动作用。业内人士徐伟指出，“技术、资金和应用市场这“三驾马车”的推动，也成为后摩尔时代最显著的特点。比如iPhone现象或者说智能手机现象，它在应用引领上是非常突出的。” 从某种意义上讲，就像碳化硅、氮化镓的这样的崛起，或者说爆发式的增长，实际上也
- 碳化硅芯片产业未来可期[ 05-23 17:12 ]
- 集微网消息，当前，汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。跨入新能源汽车，为了满足大电流、高电压的需求，搭载的功率半导体也大幅提升，具体而言，碳化硅功率器件在新能源汽车中的应用场景包括：主驱逆变器、OBC（车载充电器）、快速充电桩，以及大功率DC/DC等。其中，碳化硅在800V主电机控制器应用是大势所趋。 ST最早量产并大量应用于特斯拉，并用较低的价格抢占市场份额，以达到规模经济。在过去的几年时间里，全球碳化硅市场上相关企业动作
- SiC模块可提升电动汽车功率及续航能力[ 05-21 11:48 ]
- 碳化硅加速性能好。宽禁带最直接的好处，有更高的击穿场强，也就是耐高压，即是可以控制更高的系统电压。高电压意味着低电流，能减少设备电阻的损耗。 对电机设计来说，也更容易在小体积下实现更高功率。 碳化硅可实现大功率及高续航。除了宽禁带带来的优势外，碳化硅还有两大优势，一个是饱和电子速度更高，一个是导热率更高、耐温性能更高。 饱和电子速度快，也就是可以通过更大的电流。碳化硅材料的电子饱和速度是硅材料的两倍，因此在设备设计时，匹配的电流强度更容易远离设备的饱和电流，也就能实现在导通状态下更低的电阻。
- 碳化硅器件应用于逆变器优势[ 05-20 16:41 ]
- 碳化硅导通损耗和开关损耗优势明显。就电动汽车逆变器而言，功率器件是核心能量转换单元，其损耗包含两部分，导通损耗Econ和开关损耗Esw。 碳化硅在电流比较小也就是轻载的工况下导通损耗优势是比较明显的，再结合轻载工况开关损耗占比更大（碳化硅开关损耗也低），这也印证了为什么碳化硅更适合城市工况。因此逆变器应用碳化硅MOS体现在效率Map上就是高效区面积比较大。 另外，碳化硅MOS打开时双向导通，又规避了IGBT模块在续流时，FRD的导通压降比IGBT大的问题，进一步降低导通损耗。 碳化硅可降低整车能耗
- 「一图GET」一图搞懂碳化硅——衬底篇[ 05-19 14:24 ]
