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- 三安：2025年6寸碳化硅晶圆需求达437万片[ 04-03 10:30 ]
- 近日，三安光电董事长特别助理、北京三安光电有限公司总经理陈昭亮演讲。陈昭亮指出，2025年全球碳化硅衬底与晶圆的情况将出现供不应求的局面，2025年6寸碳化硅晶圆需求在饱受与乐观情形下分别为219和437万片。 根据Yole预测，车用碳化硅需求占全行业的60%，其他代表性行业，光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圆保守估计365万片。碳化硅产能缺口将达到123万片，在乐观情形下达到的728万片，碳化硅产能的缺口达到468万片，全球碳化硅衬底与晶圆将出
- 昭和电工宣布量产6英寸碳化硅晶圆片[ 04-02 10:17 ]
- 近期，日本ShowaDenkoKK(SDK，昭和电工)宣布已开始量产直径6英寸(150mm)的碳化硅单晶晶片(SiC晶片)，其可满足迅速增长的第三代功率半导体，特别是用于xEV、轨道车辆和工业设备的市场。 作为独立的SiC外延片供应商，SDK为功率器件制造商提供BestinClassSiC外延片，全球市场占有率领先。 2018年，SDK收购新日铁住金集团（现新日铁集团）的SiC晶圆相关资产，就此致力于开发用于量产SiC晶片的技术，并且旨在提高SiC外延片质量并为其建立稳定的供应体系。SDK同时表示，多元
- 我国2022年1月份碳化硅出口量同比增长61.66%[ 04-01 10:13 ]
- 据磨料磨具公众号发布信息介绍：2022年1月份中国碳化硅出口量31,502.41公吨，去年同期为19,486.50公吨，上月为43,562.02公吨，同比增长61.66%，环比下滑27.68%。 2022年1月份中国碳化硅出口额39,122,325.00美元，去年同期为18,384,531.00美元，上月为45,103,415.00美元，同比增长112.80%，环比下滑13.26%。出口均价1,241.88美元/公吨，去年同期为943.45美元/公吨，上月为1,035.38美元/公吨。 2022年1月，
- 关于碳化硅市场近期走势分析[ 03-26 08:52 ]
- 据磨库网讯在最新一期磨友圈直播过程中，碳化硅资深人士杨荻帆，百川盈孚碳化硅行业分析师杨甜珍等业内人士分析了碳化硅一季度的市场行情及未来走势。 杨荻帆表示，近期碳化硅价格涨声一片，其上涨原因主要取决于石油焦原料价格上涨。 绿碳化硅的价格创历史新高，很多厂家呈观望状态。接下来，根据石油焦的涨势，原块价格有突破15000元/吨的可能，可能会持续到8月份，总体来说形势不容乐观。 黑碳化硅方面，目前一级块交易较多，随着石油焦的涨幅，后期慢涨的可能性比较大。 杨总说，走访山东、江苏等地区的碳化硅生厂家时
- 原材料价格上涨 业内多家企业宣布涨价[ 03-25 08:44 ]
- 据中国磨料磨具网3月23日讯，近期受原材料价格上涨影响，多家磨料磨具、超硬材料企业宣布涨价，涉及产品主要为绿碳化硅、黑碳化硅、金刚石单晶、超硬工具等。 中国磨料磨具网调研结果显示，在环保、能耗双控等因素影响下，碳化硅主要生产原料价格出现不同程度上涨，制造成本不断攀升。原材料价格上涨幅度超出业内预期，部分企业经营压力较大，只能通过涨价来缓解成本压力。 由于原材料价格的传导，市场上已经能明显感觉到涨价的氛围。随着原材料、磨料等价格的不断攀升，将会沿着产业链向下游蔓延，对制品企业和终端用户造成一定的影响。
- 半绝缘型碳化硅衬底的主要应用[ 03-24 16:23 ]
- 半绝缘型碳化硅衬底主要应用于制造氮化镓射频器件。通过在半绝缘型碳化硅衬底上生长氮化镓外延层，制得碳化硅基氮化镓外延片，可进一步制成氮化镓射频器件。碳化硅基氮化镓射频器件已成功应用于众多领域，以无线通信基础设施和国防应用为主。无线通信基础设施方面，5G具有大容量、低时延、低功耗、高可靠性等特点，要求射频器件拥有更高的线性和更高的效率。相比砷化镓和硅基LDMOS射频器件，以碳化硅为衬底的氮化镓射频器件同时具有碳化硅良好的导热性能和氮化镓在高频段下大功率射频输出的优势，能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能，成为5
- 导电型碳化硅衬底的主要应用[ 03-23 16:21 ]
- 导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件。与传统硅功率器件制作工艺不同，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅衬底上，需在导电型衬底上生长碳化硅外延层得到碳化硅外延片，并在外延层上制造各类功率器件。碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有使用硅基功率器件的能源转换效率，对高效能源转换领域产生重大而深远的影响，主要应用领域有电动汽车/充电桩、光伏新能源、轨道交通、智能电网等。
- 碳化硅具有优良的物理和化学性能[ 03-22 16:17 ]
- 去年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”明确提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。 作为第三代半导体代表材料，碳化硅具有优良的物理和化学性能。 力学性能：高硬度（克氏硬度为3000kg/mm2），可以切割红宝石；高耐磨性，仅次于金刚石。 热学性能：热导率超过金属铜，是Si的3倍，是GaAs的8～10倍，散热性能好，对于大功率器件非常重要。 化学性能：耐腐蚀性非常
- 华为猛投SiC赛道有何战略意图？[ 03-21 16:13 ]
- 去年9月底，华为发布了《数字能源2030》白皮书，白皮书中指出，“电力电子技术和数字技术成为驱动能源产业变革的核心技术”。更高电压、更高效率、更高功率密度代表了电力电子器件技术的发展方向。在2020年之前的50年中，硅基电力电子器件技术日益成熟，产业规模不断壮大，在能源领域发挥了不可或缺的作用。然而受材料特性所限，硅基电力电子器件性能正在接近其理论极限，难以继续支撑技术和产业快速前进的要求。进入新世纪以来，尤其是从2010年至今，诸多新兴的半导体材料凭借优越的材料特性为电力电子器件技术带来了
- SiCMOSFET器件的商业化[ 03-19 15:59 ]
- 近20多年来，以碳化硅为代表的宽禁带半导体器件，受到了广泛的关注。SiC材料具有3倍于硅材料的禁带宽度，10倍于硅材料的临界击穿电场强度，3倍于硅材料的热导率，因此SiC功率器件适合于高频、高压、高温等应用场合。 其中SiCMOSFET是最为成熟、应用最广的SiC功率开关器件，具有高开关速度、低损耗和耐高温等优点，被认为是替代硅IGBT的最佳选择。SiCMOSFET是一种具有绝缘栅结构的单极性器件，关断过程不存在拖尾电流，降低了开关损耗，进而减小散热器体积；并且其开关速度快，开关频率高，有利于减小变换器中电感
- 碳化硅功率器件相关标准立项通过[ 03-18 15:54 ]
- 据中国粉体网讯 近期，由江苏宏微科技有限公司、重庆大学联合牵头，泰克科技（中国）有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、全球能源互联网研究院有限公司、北京海瑞克科技发展有限公司、广州电网有限公司电力科学研究院等单位联合提交的《碳化硅MOSFET开关运行条件下阈值稳定性测试方法》团体标准提案，经CASA标准化委员会（CASAS）管理委员会审核，根据《CASA管理和标准制修订细则》，上述团体标准提案立项通过，分配编号为：CASA024。
- 碳化硅晶片生产流程及清洗技术[ 03-17 14:52 ]
- 碳化硅晶片经过清洗可以有效去除表面沾污和杂质，同时保证不引入新的杂质，从而使最终的碳化硅晶片产品满足半导体下游客户的要求。 传统的硅衬底材料使用RCA标准清洗方法来去除材料表面的污染，但是碳化硅是一种极性晶体，表面带有一定的电荷，吸附污染物后变得更加难以清洗。
- 低翘曲度碳化硅晶体切割技术难点[ 03-16 15:44 ]
- 碳化硅的莫氏硬度为9.5，硬度与金刚石接近，只能用金刚石材料进行切割，切割难度大，保证切割过程稳定获得低翘曲度的晶片是技术难点之一。 为了达到下游外延开盒即用的质量水平，需要对碳化硅衬底表面进行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并达到严苛的金属、颗粒控制要求。 化学机械抛光属于化学作用和机械作用相结合的技术，碳化硅晶片表面首先与抛光液中的氧化剂发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层，然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层，在化学作用和机械作用的交替进行的过程中完成表面抛光，过程较为
- PVT碳化硅晶体生长技术难点[ 03-15 15:42 ]
- 目前碳化硅单晶的生长方法主要包括以下三种：液相法、高温化学气相沉积法、物理气相传输法（PVT）。其中PVT法是目前SiC单晶生长研究最多、最成熟的技术，其技术难点在于： （1）碳化硅单晶在2300°C以上高温的密闭石墨腔室内完成“固-气-固”的转化重结晶过程，生长周期长、控制难度大，易产生微管、包裹物等缺陷。 （2）碳化硅单晶包括200多种不同晶型，但生产一般仅需一种晶型，生长过程中易产生晶型转变造成多型夹杂缺陷，制备过程中单一特定晶型难以稳定控制，例如目前主流的4H型。
- 高纯度碳化硅生长原料合成技术[ 03-14 15:40 ]
- 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，其中杂质含量应至少低于0.001%。在众多SiC粉合成方法中，气相法通过控制气源中的杂质含量可以获得纯度较高的SiC粉体；液相法中只有溶胶-凝胶法可以合成纯度满足单晶生长需要的SiC粉体；固相法中的改进自蔓延高温合成法将固态的Si源和C源作为原料，使其在1400～2000℃的高温下持续反应，最后得到高纯SiC粉体，是目前使用范围最广，合成工艺最成熟的SiC粉体的制备方法。 天岳先进使用的高纯碳化硅是将高纯硅粉和高纯碳粉按工艺配方均匀混合，在2000℃以上的高温条件下，
- 碳化硅单晶生长炉制造技术[ 03-12 15:37 ]
- 碳化硅长晶炉是晶体制备的载体，也是晶体生长核心技术中的热场和工艺的重要组成部分。针对不同尺寸、不同导电性能的碳化硅单晶衬底，碳化硅长晶炉需要实现高真空度、低真空漏率等各项性能指标，为高质量晶体生长提供适合的热场实现条件。 碳化硅单晶生长热场是碳化硅单晶生长的核心，决定了单晶生长中温度的轴向和径向梯度、气相流场等关键反应条件。热场的配置核心是设置合理的轴向温度梯度和径向温度梯度，以保证热场内生长的晶体具有较小的原生内应力，同时具备合理可控的生长速率。
- 碳化硅半导体纳入国家“十四五”规划重点支持领域[ 03-11 15:24 ]
- 我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。晶片（衬底）作为碳化硅半导体产业链的基础材料，具有较高的应用前景和产业价值，在我国半导体产业发展中具有重要的战略地位。 碳化硅晶片产品尺寸越大、技术参数水平越高，其技术优势越明显，长期以来，碳化硅晶片的核心技术和市场基本被欧美发达国家垄断，这无疑突出了一个事实，即
- 碳化硅作为强共价键化合物所具有的显著特点[ 03-10 15:20 ]
- 碳化硅是一种强共价键化合物，具有以下显著特点： 1）密度低、弹性模量高； 2）硬度高，耐磨损性能好； 3）化学稳定性好，耐腐蚀性能优异； 4）高温强度高、抗蠕变性好； 5）电阻率可控，具有半导体特性； 6）热膨胀系数低、热导率高。
- 碳化硅聚焦环陶瓷材料[ 03-09 17:16 ]
- 随着半导体技术的发展，等离子体刻蚀逐渐成为半导体制造工艺广泛应用的技术。等离子体刻蚀产生的等离子体具有很强的腐蚀性，在刻蚀晶圆的过程中也会对工艺腔腔体和腔体内部件造成严重腐蚀，所以半导体加工设备中与等离子体接触的部件需要有较好的耐等离子体刻蚀性能。 相对于有机和金属材料，陶瓷材料一般都具有较好的耐物理和化学腐蚀性能以及很高的工作温度，因而在半导体工业中，多种陶瓷材料已成为半导体单晶硅片制造工序和前道加工工序的设备核心部件制造材料，如SiC，AlN，Al2O3和Y2O3等。在等离子环境中陶瓷材料的选择取决于核心
- 鼎点平台新材料三八妇女节活动及福利发放[ 03-08 14:44 ]
